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大阪大学开发出氮化镓自旋注入技术,效率达传统方法的3~4倍
KDDI综研所和早稻田大学开发出面积仅为现有产品1/17的AI低功耗硅光子电路
东京工业大学发现新材料,拥有世界上最高的氧化物离子传导性
东京工业大学改良后锂子电池时代的水系质子电池
美国应用材料公司通过高效曝光降低半导体成本
NIMS等制造出高强度凝胶电解质膜,可延长锂金属负极寿命,有望大幅提升二次电池的能量密度
NEC利用CNT全球首次开发成功高灵敏度非冷却型红外线图像传感器,灵敏度比传统型提高了3倍以上
NTT和北海道大学全球首次阐明由中子引发的半导体软错误的特征全貌
名古屋市立大学全球首次成功开发出无水银全固体型远紫外光源,可安全照射人体
日本原子能研究开发机构等明确石墨烯和金的化学键合机制
东北大学研发出正极材料,让镁电池“超越锂电池”
大阪大学发现一种集磁性、极性、超导于一体的稀有新材料
东京大学物性研究所等发现施加磁场体积大幅膨胀的新材料
东京工业大学特任教授栗田洋一郎:日本半导体复兴的良机,利用“芯粒”持续进化
大阪大学发现用激光产生中子的新法则
日本原子能机构、东北大学、福井高等专门学校,通过高亮度放射光阐明硅氧化膜的成长过程
SiC功率半导体性能大幅提升,高效利用能源成为可能
日企Preferred先行开发AI半导体,还有意用于后富岳
全球最轻的小型超1GHz NMR装置,无需续加稀有液态氦
金刚石功率半导体,电力损失为硅的5万分之1,期待用于人造卫星
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