日本东北大学与日本产业技术综合研究所通过一项联合研究，成功开发出了新型纳米磁性薄膜。这项研究成果为实现超高集成度非易失性磁存储器的材料开发提供了新思路。
非易失性磁存储器将采用纳米磁性薄膜的元件的磁极方向作为比特信息，在片上系统等领域得到了广泛使用，以将其应用于人工智能技术为目标的研究开发在全球范围展开。
此次的研发小组研究了新型界面结构，使通常情况下没有磁性的金属材料夹在特殊金属和绝缘体之间，由此成功开发出了磁保持力很强且磁力微弱的纳米磁性薄膜。另外，还在室温下成功观测了嵌有该磁性薄膜的元件的基本特性。对于在推进存储器超高集成化方面至关重要的纳米磁性薄膜材料，该研究为其开发提供了一条新路。
相关研究内容于12月6日发表在美国化学学会的学术期刊《ACS Applied Materials & Interfaces》的网络速报版上。
（a）以铁为代表的铁磁材料的示意图。自旋（箭头）在物质中平行排列，特点是强磁性将磁力线发散到周围空间中。（b）与本次研究有关的反铁磁材料的示意图。自旋反平行排列，磁性相互抵消，因此没有磁力。
文 JST客观日本编辑部
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