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日本的由京都大学、筑波大学、东海大学和产业技术综合研究所组成的研发小组发现，向相变材料GeSbTe化合物（GST）照射高强度太赫兹脉冲后，该材料会以纳米尺寸从非晶状态生长出晶体。GST是作为目前使用的记录型DVD和新一代非易失性固体存储器而备受期待的相变存储器记录材料。
本次研究利用世界最高强度的太赫兹脉冲生成技术，成功向GST照射了高电场皮秒（一万亿分之一秒）脉冲，晶体部分尖端的焦耳热促进晶体逐渐生长，由此可以引起沿着电场方向生长的各向异性晶体生长。
这项研究成果明确了在存储器的开关动作中瞬间发生的高电场效应，另外还显示出引起纳米尺寸的极小结构变化的可能性，今后有助于实现相变存储器的小型化和高效率化。
相关研究论文于2018年10月12日发表在美国物理学会的学术期刊《物理评论快报》上。
（左）显微镜照片，拍摄了随着照射的高强度太赫兹脉冲增加，相变材料GeSbTe化合物由非晶状态（灰色）一维结晶（白色）的样子 （右）模式图
文 客观日本编辑部
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